膜后AOI
設備特點
· 精準數(shù)控式積分曲面RGB無影光源，全進口千萬像素級工業(yè)CCD及鏡頭
· 設備結構高度集成，安裝方便，系統(tǒng)穩(wěn)定，操作&維護簡單
· 在線式檢測，可與產(chǎn)線MES無縫連接
· 采用高色度還原算法，可真實還原電池片顏色，精確分辨不同電池片色差或同一電池片內色差，從而進行高精度分選。
| 項目 | 規(guī)格 |
相機分辨率 | 2000萬 |
| 設備尺寸 | L320xW461xH801m |
| 適用Wafer尺寸 | 156*156~166*166 mm |
| 適用Wafer類型 | 單晶、多晶，金剛線單晶、多晶，PERC電池片 |
最高產(chǎn)能 | 7000PCS/小 |
| 像素精度 | <0.047mm |
| 檢測缺陷精度 | <0.09mm |
UPTime | >98% |
| 誤判率 | <0.5% |
漏判率 | <0.1% |
| 項目 | 質量降級標準 | 檢測能力要求 |
| 劃傷 | L<1.5mm、W<1mm | L≥1mm、W≥0.5mm可檢出 |
| 臟污 | S<3mm2 | S≥0.3mm2可檢出 |
| 色差 | 距離50cm目視不允許存在明顯發(fā)白、發(fā)黃、發(fā)紅現(xiàn)象 | 局部（S≥2mm2）發(fā)紅、發(fā)黃、發(fā)白、發(fā)綠等可檢出 |
| 色斑 | S≤4mm2 | S≥0.3mm2可檢出 |
| 小白點 | S≤4mm2 | S≥0.3mm2可檢出 |
| 水印 | S≤5mm2 | S≥0.3mm2可檢出 |
| 裂紋 | 不允許 | 肉眼可視的可檢出 |
| 手指印 | 不允許 | S≥1mm2可檢出 |
| 缺角 | 不允許 | S≥0.2mm2可檢出 |
| 崩邊、缺口 | L<1.5mm、H<0.5mm、S≤4mm2 | L≥1.5mm、H≥0.5mm、S≥2mm2可檢出 |
成像效果
